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A1221 2SA1221 160V .5A 1 Watt | PNP Silicon Epitaxial Bipolar Transistor – BJT – Transistor bipolaire
4.49 CAD$
Description
Produit usagé.
Le TIP42CG est un transistor de puissance bipolaire au silicium PNP de 6A 100V 65 Watts.
Indicateur de type : 2SA1221
Marquage sur l’item : A1221
Matériau du transistor : Si
Polarité : PNP
Dissipation maximale de la puissance du collecteur (Pc) : 1 W
Tension maximale collecteur-base |Vcb| : 160 V
Tension maximale collecteur-émetteur |Vce| : 140 V
Tension maximale entre l’émetteur et la base |Veb| : 5 V
Courant maximal du collecteur |Ic max| : 0.5 A
Température de jonction de fonctionnement (Tj) max. Température de jonction de fonctionnement (Tj) : 150 °C
Fréquence de transition (ft) : 50 MHz
Capacité du collecteur (Cc) : 30 pF
Rapport de transfert du courant direct (hFE), MIN : 140
Conçu pour être utilisé dans des applications générales d’amplification et de commutation.
Un transistor à jonction bipolaire (BJT) est un type de transistor qui utilise à la fois des électrons et des trous d’électrons comme porteurs de charge. En revanche, un transistor unipolaire, tel qu’un transistor à effet de champ (FET), n’utilise qu’un seul type de porteur de charge. Un transistor bipolaire permet à un faible courant injecté dans l’une de ses bornes de contrôler un courant beaucoup plus important entre les deux bornes restantes, ce qui rend le dispositif capable d’amplification ou de commutation.
Caractéristiques :
– Époxy conforme à la norme UL 94 V-0 à 0,125 po
– Ces dispositifs sont exempts de plomb et conformes à la directive RoHS*.
Testé individuellement par nous avec un appareil de vérification professionnel pour vous assurer la plus grande fiabilité et qualité.
Composant électronique compatible aux projets ARDUINO ou Raspberry Pi.
Informations complémentaires
Poids | .350 kg |
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Dimensions | 30 × 20 × 20 cm |