Description

Produit usagé.

MOSFET de puissance 47N60C3 650V 47A.

Ce MOSFET de puissance à canal N en mode d’amélioration est produit en utilisant la technologie propriétaire planar stripe et DMOS de Fairchild Semiconductor. Cette technologie avancée de MOSFET a été spécialement conçue pour réduire la résistance à l’état passant et pour fournir des performances de commutation supérieures et une énergie d’avalanche élevée. Ces dispositifs conviennent aux alimentations à découpage, à la correction active du facteur de puissance (PFC) et aux ballasts de lampes électroniques.

• Indicateur de type : FQPF7N65C
• Type de transistor : MOSFET
• Type de canal de contrôle : Canal N
• Dissipation de puissance maximale : 52 W
• Tension drain-source maximale : 650 V
• Tension grille-source maximale : 30 V
• Tension maximale de seuil de grille : 4 V
• Courant de drain maximal : 7 A
• Température maximale de jonction : 150 °C
• Charge de grille totale : 28 nC
• Résistance maximale à l’état passant drain-source : 1,4 Ohm

En électronique, le transistor à effet de champ à métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET, MOS-FET, MOS FET ou transistor MOS) est un type de transistor à effet de champ (FET), le plus souvent fabriqué par oxydation contrôlée du silicium. Il possède une grille isolée, dont la tension détermine la conductivité du dispositif. Cette capacité à modifier la conductivité en fonction de la tension appliquée peut être utilisée pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.Testé individuellement par nous avec un appareil de vérification professionnel pour vous assurer la plus grande fiabilité et qualité.

Testé individuellement par nous avec un appareil de vérification professionnel pour vous assurer la plus grande fiabilité et qualité.

Composant électronique compatible aux projets ARDUINO ou Raspberry Pi.

Informations complémentaires

Poids	.350 kg
Dimensions	30 × 20 × 20 cm

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