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K3561 2SK3561 500V 8A N-Channel Power MOSFET | Mosfet de puissance
2.95 CAD$
Description
Produit usagé.
MOSFET de puissance K3561 2SK3561 500V 8A.
Désignation du type : 2SK3561
Code de marquage : K3561
Type de transistor : MOSFET
Type de canal de contrôle : Canal N
Dissipation de puissance maximale : 40 W
Tension drain-source maximale : 500 V
Tension grille-source maximale : 30 V
Tension maximale de seuil de grille : 4 V
Courant de drain maximal : 8 A
Température de jonction maximale : 150 °C
Charge de grille totale : 28 nC
Temps de montée : 26 nS
Capacité de sortie : 110 pF
Résistance maximale de drain-source à l’état passant : 0.85 Ohm
En électronique, le transistor à effet de champ à métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET, MOS-FET, MOS FET ou transistor MOS) est un type de transistor à effet de champ (FET), le plus souvent fabriqué par oxydation contrôlée du silicium. Il possède une grille isolée, dont la tension détermine la conductivité du dispositif. Cette capacité à modifier la conductivité en fonction de la tension appliquée peut être utilisée pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.Testé individuellement par nous avec un appareil de vérification professionnel pour vous assurer la plus grande fiabilité et qualité.
Testé individuellement par nous avec un appareil de vérification professionnel pour vous assurer la plus grande fiabilité et qualité.
Composant électronique compatible aux projets ARDUINO ou Raspberry Pi.
Informations complémentaires
Poids | .350 kg |
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Dimensions | 30 × 20 × 20 cm |