Description

Produit usagé.

MOSFET de puissance K4A60DB 600V 3.7A

Indicateur de type : TK4A60DB
Type de transistor : MOSFET
Type de canal de contrôle : Canal N
Dissipation de puissance maximale : 35 W
Tension drain-source maximale : 600 V
Tension maximale porte-source : 30 V
Courant de drain maximal : 3,7 A
Température de jonction maximale : 150 °C
Temps de montée : 18 nS
Capacité de sortie : 60 pF
Résistance maximale de drain-source à l’état passant : 2 Ohm

En électronique, le transistor à effet de champ à métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET, MOS-FET, MOS FET ou transistor MOS) est un type de transistor à effet de champ (FET), le plus souvent fabriqué par oxydation contrôlée du silicium. Il possède une grille isolée, dont la tension détermine la conductivité du dispositif. Cette capacité à modifier la conductivité en fonction de la tension appliquée peut être utilisée pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Testé individuellement par nous avec un appareil de vérification professionnel pour vous assurer la plus grande fiabilité et qualité.

Composant électronique compatible aux projets ARDUINO ou Raspberry Pi.

Informations complémentaires

Poids	.350 kg
Dimensions	30 × 20 × 20 cm

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