Description

Produit usagé.

Transistor à effet de champ TK10A60D 600V 10A.

Indicateur de type : TK10A60D
Code de marquage : K10A60D
Type de transistor : MOSFET
Type de canal de contrôle : Canal N
Dissipation de puissance maximale : 45 W
Tension maximale drain-source : 600 V
Tension maximale porte-source : 30 V
Tension maximale de seuil de grille : 4 V
Courant de drain maximal : 10 A
Température maximale de jonction : 150 °C
Charge de grille totale : 25 nC
Temps de montée : 22 nS
Capacité de sortie : 135 pF
Résistance maximale du drain et de la source à l’état passant : 0.75 Ohm

En électronique, le transistor à effet de champ à métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET, MOS-FET, MOS FET ou transistor MOS) est un type de transistor à effet de champ (FET), le plus souvent fabriqué par oxydation contrôlée du silicium. Il possède une grille isolée, dont la tension détermine la conductivité du dispositif. Cette capacité à modifier la conductivité en fonction de la tension appliquée peut être utilisée pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Testé individuellement par nous avec un appareil de vérification professionnel pour vous assurer la plus grande fiabilité et qualité.

Composant électronique compatible aux projets ARDUINO ou Raspberry Pi.

Informations complémentaires

Poids	.350 kg
Dimensions	30 × 20 × 20 cm

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